数据列表

MCP14A1201T-E/MNYVAO

上升/下降时间（典型值） :

25ns，25ns

供应商器件封装 :

8-TDFN（2x3）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-WFDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（TA）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

4.5V ~ 18V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

12A，12A

输入类型 :

反相

通道类型 :

单路

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.8V，2V

驱动器数 :

1

驱动配置 :

低端

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-