数据列表

SID1183K

上升/下降时间（典型值） :

465ns，460ns

供应商器件封装 :

eSOP-R16B

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（TJ）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

4.75V ~ 5.25V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

8A，48A

输入类型 :

反相

通道类型 :

单路

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.5V，3.3V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

高压侧或低压侧

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-