产品概览
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- 数据列表
- L6385E
产品详情
- 上升/下降时间（典型值） :
- 50ns，30ns
- 供应商器件封装 :
- 8-DIP
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- 8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C（TJ）
- 栅极类型 :
- IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电 :
- 17V（最大）
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :
- 400mA，650mA
- 输入类型 :
- 反相
- 通道类型 :
- 独立式
- 逻辑电压 - VIL，VIH :
- 1.5V，3.6V
- 驱动器数 :
- 2
- 驱动配置 :
- 半桥
- 高压侧电压 - 最大值（自举） :
- 600 V
