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HIP6601BECB-T

上升/下降时间（典型值） :

20ns，20ns

供应商器件封装 :

8-SOIC-EP

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘

工作温度 :

0°C ~ 125°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

10.8V ~ 13.2V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

-

输入类型 :

非反相

通道类型 :

同步

逻辑电压 - VIL，VIH :

-

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

15 V