产品概览
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- 数据列表
- HIP2100EIBZT
产品详情
- 上升/下降时间（典型值） :
- 10ns，10ns
- 供应商器件封装 :
- 8-SOIC-EP
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 栅极类型 :
- N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电 :
- 9V ~ 14V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :
- 2A，2A
- 输入类型 :
- 非反相
- 通道类型 :
- 独立式
- 逻辑电压 - VIL，VIH :
- 4V，7V
- 驱动器数 :
- 2
- 驱动配置 :
- 半桥
- 高压侧电压 - 最大值（自举） :
- 114 V
