数据列表

NCP81166MNTBG

上升/下降时间（典型值） :

16ns，11ns

供应商器件封装 :

-

安装类型 :

-

封装/外壳 :

-

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

栅极类型 :

N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

4.5V ~ 13.2V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

-

输入类型 :

非反相

通道类型 :

同步

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.7V，3.4V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

半桥

高压侧电压 - 最大值（自举） :

35 V