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2ED2106S06FXUMA1

上升/下降时间（典型值） :

100ns，35ns

供应商器件封装 :

PG-DSO-8-69

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（TA）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

10V ~ 20V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

CB，cCSAus，CE，CQC，TUV

输入类型 :

CMOS，TTL

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

1.1V，1.7V

驱动器数 :

2

驱动配置 :

高压侧和低压侧

高压侧电压 - 最大值（自举） :

675 V