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IGD515EI

上升/下降时间（典型值） :

40ns，40ns

供应商器件封装 :

模块

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

-40°C ~ 85°C（TA）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

12V ~ 16V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

15A，15A

输入类型 :

-

通道类型 :

单路

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.9V，3.8V

驱动器数 :

1

驱动配置 :

高压侧或低压侧

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-