产品概览
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- 数据列表
- IXDI609SIATR
产品详情
- 上升/下降时间（典型值） :
- 22ns，15ns
- 供应商器件封装 :
- 8-SOIC
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 栅极类型 :
- IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电 :
- 4.5V ~ 35V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :
- 9A，9A
- 输入类型 :
- 反相
- 通道类型 :
- 单路
- 逻辑电压 - VIL，VIH :
- 0.8V，3V
- 驱动器数 :
- 1
- 驱动配置 :
- 低端
- 高压侧电压 - 最大值（自举） :
- -
