产品概览
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- 数据列表
- TH58NYG2S3HBAI6
产品详情
- 供应商器件封装 :
- 63-BGA（9x11）
- 写周期时间 - 字，页 :
- 25ns
- 存储器接口 :
- 并联
- 存储器格式 :
- 闪存
- 存储器类型 :
- 非易失
- 存储器组织 :
- 512M x 8
- 存储容量 :
- 4Gb
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 63-BGA
- 工作温度 :
- -40°C ~ 85°C（TA）
- 技术 :
- FLASH - NAND（SLC）
- 时钟频率 :
- -
- 电压 - 供电 :
- 1.7V ~ 1.95V
- 访问时间 :
- -
