产品概览

产品型号
W63AH2NBVACE TR
制造商
Winbond Electronics Corporation
产品类别
存储器
产品描述
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA

文档与媒体

数据列表
W63AH2NBVACE TR

产品详情

供应商器件封装 :
178-VFBGA(11x11.5)
写周期时间 - 字,页 :
15ns
存储器接口 :
HSUL_12
存储器格式 :
DRAM
存储器类型 :
易失
存储器组织 :
32M x 32
存储容量 :
1Gb
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
178-VFBGA
工作温度 :
-25°C ~ 85°C(TC)
技术 :
SDRAM - Mobile LPDDR3
时钟频率 :
933 MHz
电压 - 供电 :
1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V
访问时间 :
5.5 ns

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