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HYB25D512800CE-5

供应商器件封装 :

66-TSOP II

写周期时间 - 字，页 :

-

存储器接口 :

并联

存储器格式 :

DRAM

存储器类型 :

易失

存储器组织 :

64M x 8

存储容量 :

512Mb

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）

工作温度 :

0°C ~ 70°C（TA）

技术 :

SDRAM - DDR

时钟频率 :

200 MHz

电压 - 供电 :

2.3V ~ 2.7V

访问时间 :

-