产品概览
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- 数据列表
- MG17200D-BN4MM
产品详情
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- NTC 热敏电阻 :
- 无
- 不同 Vce 时输入电容 (Cies) :
- 18 nF @ 25 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :
- 2.45V @ 15V，200A
- 供应商器件封装 :
- D3
- 功率 - 最大值 :
- 1250 W
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- D-3 模块
- 工作温度 :
- -40°C ~ 125°C（TJ）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 1700 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 300 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 3 mA
- 输入 :
- 标准
- 配置 :
- 半桥
