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P2000DL45X168APTHPSA1

IGBT 类型 :

沟道

NTC 热敏电阻 :

无

不同 Vce 时输入电容 (Cies) :

420 nF @ 25 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.5V @ 15V，2000A

供应商器件封装 :

BG-P16826K-1

功率 - 最大值 :

-

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

DO-200AE

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

4500 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

2000 A

电流 - 集电极截止（最大值） :

200 µA

输入 :

标准

配置 :

单路