产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- APTGT150DA60T1G
产品详情
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- NTC 热敏电阻 :
- 是
- 不同 Vce 时输入电容 (Cies) :
- 9.2 nF @ 25 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 1.9V @ 15V,150A
- 供应商器件封装 :
- SP1
- 功率 - 最大值 :
- 480 W
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- SP1
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C(TJ)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 225 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 250 µA
- 输入 :
- 标准
- 配置 :
- 单路
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RHE5G2A102J1ADA03B
RHEL81H102K1M1A13A
RHEL82A103K1A2A36B
RHE5G2A102J1K1A36B
RHEL81E104K1DGA12A
RHEL81H102K1DBA13A
RHEL81H104K1M1A23A
RHE5G2A221J1DGA36P
RHEL81H103K1DBA13A
RHE5G2A331J1K1A36B
VJ0805Y104KXXAC
1210F476M100CG
1206F124Z251CT
0402F104Z160CG
0805F104Z250CQ
0805F104K250CT
0805F203Z500CT
0201F823Z4R0CT
0603F334Z160CG
0603F104Z160CQ