产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- APTGT150DA60T1G
产品详情
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- NTC 热敏电阻 :
- 是
- 不同 Vce 时输入电容 (Cies) :
- 9.2 nF @ 25 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 1.9V @ 15V,150A
- 供应商器件封装 :
- SP1
- 功率 - 最大值 :
- 480 W
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- SP1
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C(TJ)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 225 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 250 µA
- 输入 :
- 标准
- 配置 :
- 单路
采购与库存
推荐产品
您可能在找
WSL27265L000FEA
D55342K07B200DRS3
WSL27263L000FEB
D55342K07B15E0RS3
WSL27261L000FEB
CRHP2010AF20M0FKET
WSL27261L300FEA
WSK2512R0250DEA
RNCF0805TKY1K00
RN73C2A86K6BTG
RN73C1J47K5BTG
RNCF0805TKY75R0
RNCF0603TKY150R
CSS2H-5930K-2L00FE
Y14840R00020F9R
CRCW12182R40FKEKHP
M55342K11B1E00RS3
RCP1206W1K00GEB
RCP1206W75R0GEB
RCP1206W25R0GEB