产品概览

产品型号
AIHD15N60RATMA1
制造商
Infineon Technologies
产品类别
单 IGBT
产品描述
IC DISCRETE 600V TO252-3

文档与媒体

数据列表
AIHD15N60RATMA1

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
16ns/183ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
2.1V @ 15V,15A
供应商器件封装 :
PG-TO252-3-313
功率 - 最大值 :
250 W
反向恢复时间 (trr) :
-
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
370µJ(开),530µJ(关)
栅极电荷 :
90 nC
测试条件 :
400V,15A,15 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
45 A
输入类型 :
标准

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