产品概览
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- 数据列表
- IKD10N60R
产品详情
- 25°C 时 Td（开/关）值 :
- 14ns/192ns
- IGBT 类型 :
- 沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :
- 2.1V @ 15V，10A
- 供应商器件封装 :
- PG-TO252-3-11
- 功率 - 最大值 :
- 150 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- 62 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C（TJ）
- 开关能量 :
- 590µJ
- 栅极电荷 :
- 64 nC
- 测试条件 :
- 400V，10A，23 欧姆，15V
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- 30 A
- 输入类型 :
- 标准
