数据列表

HGT1S12N60A4S9A

25°C 时 Td（开/关）值 :

17ns/96ns

IGBT 类型 :

-

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.7V @ 15V，12A

供应商器件封装 :

D²PAK（TO-263）

功率 - 最大值 :

167 W

反向恢复时间 (trr) :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

开关能量 :

55µJ（开），50µJ（关）

栅极电荷 :

78 nC

测试条件 :

390V，12A，10 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

54 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

96 A

输入类型 :

标准