产品概览

产品型号
HGT1S2N120CN
制造商
ON Semiconductor
产品类别
单 IGBT
产品描述
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

文档与媒体

数据列表
HGT1S2N120CN

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
25ns/205ns
IGBT 类型 :
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
2.4V @ 15V,2.6A
供应商器件封装 :
TO-262
功率 - 最大值 :
104 W
反向恢复时间 (trr) :
-
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 :
96µJ(开),355µJ(关)
栅极电荷 :
30 nC
测试条件 :
960V,2.6A,51 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
13 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
20 A
输入类型 :
标准

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