产品概览

产品型号
RGTH60TS65DGC13
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
单 IGBT
产品描述
IGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247

文档与媒体

数据列表
RGTH60TS65DGC13

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
27ns/105ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
2.1V @ 15V,30A
供应商器件封装 :
TO-247
功率 - 最大值 :
194 W
反向恢复时间 (trr) :
58 ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
-
栅极电荷 :
58 nC
测试条件 :
400V,30A,10 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
58 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
120 A
输入类型 :
标准

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