数据列表

IKB30N65ES5ATMA1

25°C 时 Td（开/关）值 :

17ns/124ns

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

1.7V @ 15V，30A

供应商器件封装 :

PG-TO263-3

功率 - 最大值 :

188 W

反向恢复时间 (trr) :

75 ns

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

560µJ（开），320µJ（关）

栅极电荷 :

70 nC

测试条件 :

400V，30A，13 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

62 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

120 A

输入类型 :

标准