产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- RGW00TK65DGVC11
产品详情
- 25°C 时 Td（开/关）值 :
- 52ns/180ns
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :
- 1.9V @ 15V，50A
- 供应商器件封装 :
- TO-3PFM
- 功率 - 最大值 :
- 89 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- 95 ns
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-3PFM，SC-93-3
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C（TJ）
- 开关能量 :
- 1.18mJ（开），960µJ（关）
- 栅极电荷 :
- 141 nC
- 测试条件 :
- 400V，50A，10 欧姆，15V
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 45 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- 200 A
- 输入类型 :
- 标准
