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AFGB40T65SQDN

25°C 时 Td（开/关）值 :

17.6ns/75.2ns

IGBT 类型 :

-

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.1V @ 15V，40A

供应商器件封装 :

D²PAK-3（TO-263-3）

功率 - 最大值 :

238 W

反向恢复时间 (trr) :

131 ns

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

858µJ（开），229µJ（关）

栅极电荷 :

76 nC

测试条件 :

400V，40A，6 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

160 A

输入类型 :

标准