产品概览

产品型号
RGW60TS65GC11
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
单 IGBT
产品描述
IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N

文档与媒体

数据列表
RGW60TS65GC11

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
37ns/114ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
1.9V @ 15V,30A
供应商器件封装 :
TO-247N
功率 - 最大值 :
178 W
反向恢复时间 (trr) :
-
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
480µJ(开),490µJ(关)
栅极电荷 :
84 nC
测试条件 :
400V,30A,10 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
120 A
输入类型 :
标准

采购与库存

推荐产品

我们一直持续专注
实力现货
即时报价
快速出货
0755-23990123
13723705933
微信客服1部
微信客服2部
绝对原装正品
原厂渠道
全新正品
原厂认证
检测报告
IQC品控检测