产品概览

产品型号
RGTVX2TS65GC11
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
单 IGBT
产品描述
IGBT TRENCH FLD 650V 111A TO247N

文档与媒体

数据列表
RGTVX2TS65GC11

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
49ns/150ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
1.9V @ 15V,60A
供应商器件封装 :
TO-247N
功率 - 最大值 :
319 W
反向恢复时间 (trr) :
-
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
2.08mJ(开),1.15mJ(关)
栅极电荷 :
123 nC
测试条件 :
400V,60A,10 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
111 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
240 A
输入类型 :
标准

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