产品概览
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- 数据列表
- IKD10N60RC2ATMA1
产品详情
- 25°C 时 Td(开/关)值 :
- 14ns/250ns
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 2.3V @ 15V,10A
- 供应商器件封装 :
- PG-TO252-3
- 功率 - 最大值 :
- 79 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- 104 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C(TJ)
- 开关能量 :
- 320µJ(开),170µJ(关)
- 栅极电荷 :
- 48 nC
- 测试条件 :
- 400V,10A,49 欧姆,15V
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 18.8 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- 30 A
- 输入类型 :
- 标准