产品概览
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- 数据列表
- RGT30NS65DGC9
产品详情
- 25°C 时 Td（开/关）值 :
- 18ns/64ns
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :
- 2.1V @ 15V，15A
- 供应商器件封装 :
- TO-262
- 功率 - 最大值 :
- 133 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- 55 ns
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C（TJ）
- 开关能量 :
- -
- 栅极电荷 :
- 32 nC
- 测试条件 :
- 400V，15A，10 欧姆，15V
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- 45 A
- 输入类型 :
- 标准
