产品概览

产品型号
A2T18S262W12NR3
制造商
NXP Semiconductors
产品类别
RF FET,MOSFET
产品描述
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

文档与媒体

数据列表
A2T18S262W12NR3

产品详情

供应商器件封装 :
OM-880X-2L2L
功率 - 输出 :
231W
噪声系数 :
-
增益 :
19.3dB
安装类型 :
底座安装
封装/外壳 :
OM-880X-2L2L
技术 :
LDMOS
电压 - 测试 :
28 V
电压 - 额定 :
65 V
电流 - 测试 :
1.6 A
配置 :
-
频率 :
1.805GHz ~ 1.88GHz
额定电流(安培) :
10µA

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