产品概览

产品型号
NE3516S02-A
制造商
CEL (California Eastern Laboratories)
产品类别
RF FET,MOSFET
产品描述
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

文档与媒体

数据列表
NE3516S02-A

产品详情

供应商器件封装 :
S02
功率 - 输出 :
165mW
噪声系数 :
0.35dB
增益 :
14dB
安装类型 :
-
封装/外壳 :
4-SMD,扁平引线
技术 :
GaAs HJ-FET
电压 - 测试 :
2 V
电压 - 额定 :
4 V
电流 - 测试 :
10 mA
配置 :
N 通道
频率 :
12GHz
额定电流(安培) :
60mA

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