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NE3516S02-T1C-A

供应商器件封装 :

S02

功率 - 输出 :

165mW

噪声系数 :

0.35dB

增益 :

14dB

安装类型 :

-

封装/外壳 :

4-SMD，扁平引线

技术 :

GaAs HJ-FET

电压 - 测试 :

2 V

电压 - 额定 :

4 V

电流 - 测试 :

10 mA

配置 :

N 通道

频率 :

12GHz

额定电流（安培） :

60mA