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FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
A5G35H120NT2
产品概览
产品型号
A5G35H120NT2
制造商
NXP Semiconductors
产品类别
RF FET,MOSFET
产品描述
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
文档与媒体
数据列表
A5G35H120NT2
产品详情
供应商器件封装 :
10-DFN(7x10)
功率 - 输出 :
18W
噪声系数 :
-
增益 :
14.1dB
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
10-PowerLDFN
技术 :
-
电压 - 测试 :
48 V
电压 - 额定 :
125 V
电流 - 测试 :
70 mA
配置 :
-
频率 :
3.3GHz ~ 3.7GHz
额定电流(安培) :
-
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