产品概览

产品型号
A5G35H120NT2
制造商
NXP Semiconductors
产品类别
RF FET,MOSFET
产品描述
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

文档与媒体

数据列表
A5G35H120NT2

产品详情

供应商器件封装 :
10-DFN(7x10)
功率 - 输出 :
18W
噪声系数 :
-
增益 :
14.1dB
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
10-PowerLDFN
技术 :
-
电压 - 测试 :
48 V
电压 - 额定 :
125 V
电流 - 测试 :
70 mA
配置 :
-
频率 :
3.3GHz ~ 3.7GHz
额定电流(安培) :
-

采购与库存

现有数量:
2,000
起订量:
1

推荐产品

我们一直持续专注
实力现货
即时报价
快速出货
0755-23990123
13723705933
微信客服1部
微信客服2部
绝对原装正品
原厂渠道
全新正品
原厂认证
检测报告
IQC品控检测