产品概览

产品型号
IGN1011L70
制造商
Integra Technologies
产品类别
RF FET,MOSFET
产品描述
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

文档与媒体

数据列表
IGN1011L70

产品详情

供应商器件封装 :
PL32A2
功率 - 输出 :
80W
噪声系数 :
-
增益 :
22dB
安装类型 :
底座安装
封装/外壳 :
PL32A2
技术 :
GaN HEMT
电压 - 测试 :
50 V
电压 - 额定 :
120 V
电流 - 测试 :
22 mA
配置 :
-
频率 :
1.03GHz ~ 1.09GHz
额定电流(安培) :
-

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