产品概览
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- 数据列表
- NXV08B800DT1
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- -
- FET 功能 :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 4.6V @ 1mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 0.46 毫欧 @ 160A，12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 30150pF @ 40V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 502nC @ 12V
- 供应商器件封装 :
- APM17-MDC
- 功率 - 最大值 :
- -
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- 17-PowerDIP 模块（1.390"，35.30mm）
- 工作温度 :
- -40°C ~ 125°C（TA）
- 技术 :
- MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :
- 80V
- 配置 :
- -
