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FDMS1D2N03DSD

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

19A（Ta），70A（Tc），37A（Ta），164A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.5V @ 320µA，3V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

3.25 毫欧 @ 19A，10V，0.97 毫欧 @ 37A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1410pF @ 15V，4860pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

33nC @ 10V，117nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-PQFN（5x6）

功率 - 最大值 :

2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerWDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

2 N 沟道（双）非对称型