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RJM0603JSC-00#12

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

20A

FET 功能 :

逻辑电平栅极，4.5V 驱动

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.5V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

20 毫欧 @ 10A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2600pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

43nC @ 10V

供应商器件封装 :

20-HSOP

功率 - 最大值 :

54W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

20-SOIC（0.433"，11.00mm 宽）裸露焊盘

工作温度 :

175°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

配置 :

3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）