产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- QJD1210010
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 100A（Tc）
- FET 功能 :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 5V @ 10mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 25 毫欧 @ 100A，20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 10200pF @ 800V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 500nC @ 20V
- 供应商器件封装 :
- 模块
- 功率 - 最大值 :
- 1080W
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- 模块
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C（TJ）
- 技术 :
- 碳化硅（SiC）
- 漏源电压（Vdss） :
- 1200V（1.2kV）
- 配置 :
- 2 N-通道（双）
