产品概览

产品型号
APTML202UM18R010T3AG
制造商
Microsemi
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3

文档与媒体

数据列表
APTML202UM18R010T3AG

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
109A(Tc)
FET 功能 :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
4V @ 2.5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
19 毫欧 @ 50A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
9880pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
-
供应商器件封装 :
SP3
功率 - 最大值 :
480W
安装类型 :
底座安装
封装/外壳 :
SP3
工作温度 :
-40°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
200V
配置 :
2 N-通道(双)

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