数据列表

SMA5125

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

10A

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

140 毫欧 @ 5A，4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

460pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

12-SIP

功率 - 最大值 :

4W

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

12-SIP

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

配置 :

3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）