产品概览

产品型号
SIS902DN-T1-GE3
制造商
Vishay / Siliconix
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

文档与媒体

数据列表
SIS902DN-T1-GE3

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
4A
FET 功能 :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2.5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
186 毫欧 @ 3A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
175pF @ 38V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
6nC @ 10V
供应商器件封装 :
PowerPAK® 1212-8 双
功率 - 最大值 :
15.4W
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
PowerPAK® 1212-8 双
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
75V
配置 :
2 N-通道(双)

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