产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SI5980DU-T1-GE3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 2.5A
- FET 功能 :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 567 毫欧 @ 400mA，10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 78pF @ 50V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 3.3nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- PowerPAK® ChipFet 双
- 功率 - 最大值 :
- 7.8W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- PowerPAK® CHIPFET™ 双
- 工作温度 :
- -
- 技术 :
- MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :
- 100V
- 配置 :
- 2 N-通道（双）
