产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NTMD6N03R2G
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 6A
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 32 毫欧 @ 6A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 950pF @ 24V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 30nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- 8-SOIC
- 功率 - 最大值 :
- 1.29W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 配置 :
- 2 N-通道(双)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C0603C361G5HAC7867
C0603C391G5HAC7867
C0603C301G1HAC7867
C0603C331G1HAC7867
C0603C361G1HAC7867
C0603C391G1HAC7867
C0603C431G8HAC7867
C0603C471G8HAC7867
C0603C511G8HAC7867
C0603C621G8HAC7867
C0603C681G8HAC7867
C0603C751G8HAC7867
C0603C821G8HAC7867
C0603C911G8HAC7867
C0603C431G4HAC7867
C0603C471G4HAC7867
C0603C511G4HAC7867
C0603C561G4HAC7867
C0603C621G4HAC7867
C0603C681G4HAC7867