产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- APTM20TDUM16PG
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 104A
- FET 功能 :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 5V @ 2.5mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 19 毫欧 @ 52A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 7220pF @ 25V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 140nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- SP6-P
- 功率 - 最大值 :
- 390W
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- SP6
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 200V
- 配置 :
- 6 N-沟道(3 相桥)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
D55342E07B8B76RWI
D55342K07B30B9RTP
D55342E07B392BRTI
D55342E07B243BRTI
D55342H07B5B23PTI
D55342E07B243ERWI
D55342E07B3B28RTI
D55342E07B1B10CTI
D55342E07B100DRTI
D55342E07B8E06RTI
D55342E07B4E42RTI
D55342E07B8B98RWI
D55342E07B12E1RWI
D55342E07B316DRTI
D55342H07B657ARTI
D55342E07B8E35RWI
D55342E07B665DRWI
D55342K07B191ARTI
D55342K07B30B1RTI
D55342E07B100KRWI