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- CSD86336Q3D
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 20A(Ta)
- FET 功能 :
- 逻辑电平栅极,5V 驱动
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 1.9V @ 250µA,1.6V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 9.1 毫欧 @ 20A,5V,3.4 毫欧 @ 20A,5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 494pF @ 12.5V,970pF @ 12.5V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 3.8nC @ 45V,7.4nC @ 45V
- 供应商器件封装 :
- 8-VSON(3.3x3.3)
- 功率 - 最大值 :
- 6W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-PowerTDFN
- 工作温度 :
- -55°C ~ 125°C
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 25V
- 配置 :
- 2 个 N 通道(半桥)
采购与库存
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