产品概览
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- 数据列表
- CAB650M17HM3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 916A（Tc）
- FET 功能 :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 3.6V @ 305mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 1.86 毫欧 @ 650A，15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 97300pF @ 1200V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 2988nC @ 15V
- 供应商器件封装 :
- 模块
- 功率 - 最大值 :
- 50mW
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- 模块
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C（TJ）
- 技术 :
- 碳化硅（SiC）
- 漏源电压（Vdss） :
- 1700V（1.7kV）
- 配置 :
- 2 N-通道（双）
