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NTMFD1D4N02P1E

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 250µA，2V @ 800µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1180pF @ 13V，3603pF @ 13V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

8-PQFN（5x6）

功率 - 最大值 :

960mW（Ta），1W（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerWDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

25V

配置 :

2 N 沟道（双）非对称型