产品概览

产品型号
DMNH6035SPDW-13
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

文档与媒体

数据列表
DMNH6035SPDW-13

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
33A(Tc)
FET 功能 :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
3V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
35 毫欧 @ 15A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
879pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
16nC @ 10V
供应商器件封装 :
PowerDI5060-8(R 类)
功率 - 最大值 :
2.4W(Ta),68W(Tc)
安装类型 :
表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳 :
8-PowerTDFN
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
60V
配置 :
2 N-通道(双)

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