产品概览

产品型号
SH8M13GZETB
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL

文档与媒体

数据列表
SH8M13GZETB

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
6A,7A
FET 功能 :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
29 毫欧 @ 7A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
1200pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
18nC @ 5V
供应商器件封装 :
8-SOP
功率 - 最大值 :
2W
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 :
150°C(TJ)
技术 :
-
漏源电压(Vdss) :
30V
配置 :
N 和 P 沟道

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