产品概览

产品型号
IPG20N04S418AATMA1
制造商
Infineon Technologies
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
MOSFET_(20V 40V) PG-TDSON-8

文档与媒体

数据列表
IPG20N04S418AATMA1

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
20A(Tc)
FET 功能 :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
4V @ 8µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
18.4 毫欧 @ 17A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
25V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
15nC @ 10V
供应商器件封装 :
PG-TDSON-8-10
功率 - 最大值 :
26W(Tc)
安装类型 :
表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳 :
8-PowerVDFN
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
40V
配置 :
2 N-通道(双)

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