产品概览

产品型号
DMT3009UDT-7
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-

文档与媒体

数据列表
DMT3009UDT-7

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
10.6A(Ta),30A(Tc)
FET 功能 :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
1.8V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
11.1 毫欧 @ 11A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
894pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
14.6nC @ 10V
供应商器件封装 :
V-DFN3030-8(KS 类)
功率 - 最大值 :
1.1W(Ta),16W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
8-VDFN 裸露焊盘
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
30V
配置 :
2 N 沟道(双)共源

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