产品概览

产品型号
DMC1018UPDWQ-13
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI5060

文档与媒体

数据列表
DMC1018UPDWQ-13

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
10A(Ta),31.3A(Ta),6.7A(Ta),20.9A(Tc)
FET 功能 :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
1.5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
17 毫欧 @ 11.8A,4.5V,38 毫欧 @ 8.9A,4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
1525pF @ 6V,866pF @ 6V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
30.4nC @ 8V,19nC @ 8V
供应商器件封装 :
PowerDI5060-8(UXD 类)
功率 - 最大值 :
2.6W(Ta),25W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
8-PowerTDFN
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
12V,20V
配置 :
N 和 P 沟道互补型

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